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【分散采购备案单】硅基65nm工艺多目标流片服务项目
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|地区：湖北
|类型：采购公告
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信息类型：采购公告
区域：湖北
源发布时间：2025-10-27
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【分散采购备案单】硅基65nm工艺多目标流片服务项目

发布日期：2025-10-27     浏览次数：

项目概况

项目名称 硅基65nm工艺多目标流片服务项目 项目编号 BF******0824
开始时间 2025-10-27 14:08 结束时间 2025-11-01 14:08
供应商资格要求 参照《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定的资格条件。 预算金额（元） 230000.00
采购方式 单一来源 拟定成交供应商 ******有限公司
单一来源原因 美国TSMC公司的65nm MS RF LP工艺因具有以下特点而成为唯一一家符合流片技术要求的工艺：（1）具有1.2V核心电压和9层金属后端，且最小的金属电容为2fF/μm2；（2）MOS晶体管的截止频率fT和最大振荡频率fMAX分别200GHz和250GHz，适合超高速集成电路设计；（3）具备低功耗的特点。 另外，以下环节也是选择美国TSMC公司65nm MS RF LP工艺的重要原因：（1）已经经过大量用户的流片验证，稳定性可靠性可以保证；（2）每年有多批次MPW服务，这降低了小批量样片的生产成本；（3）灵活性强，该工艺能够满足一些非标准化制订的特殊要求。 因此，和项目合作方商议指定使用美国TSMC公司的6******有限公司处采用单一来源方式进行采购。

采购服务信息列表

序号 货物（服务）名称 数量 计量单位 预算单价
1 硅基65nm工艺多目标流片服务项目 100 颗 2300
技术参数 1）具有1.2V核心电压和9层金属后端，且最小的金属电容为2fF/μm2；（2）MOS晶体管的截止频率fT和最大振荡频率fMAX分别200GHz和250GHz，适合超高速集成电路设计；（3）具备低功耗的特点
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